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    • 专利摘要:
    提供了一種用於結晶在基板上形成之半導體層之結晶裝置，此結晶裝置包含：產生雷射光束之雷射產生器、以及安裝基板於其上之平台，其中半導體層係劃分為複數個結晶區及複數個非結晶區，且雷射光束照射至結晶區上複數次以使結晶區結晶，其中雷射光束係照射同一結晶區的不同位置上複數次。
    公开号:TW201320155A
    申请号:TW101117244
    申请日:2012-05-15
    公开日:2013-05-16
    发明作者:Sung-Ho Kim；Do-Young Kim；Min-Chul Shin；Min-Hwan Choi；Jong-Moo Huh
    申请人:Samsung Display Co Ltd；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    結晶裝置、結晶方法、有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法
    相關申請案之交互參照
    本申請案主張於2011年11月7日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號10-2011-0115374之效益，其揭露於此全部併入作為參考。
    本揭露係關於一種結晶裝置、結晶方法及製造有機發光顯示裝置之方法。
    主動矩陣式(AM)有機發光顯示裝置係於各像素中包含像素驅動電路，而像素驅動電路包含由矽晶所形成的薄膜電晶體(TFT)。形成薄膜電晶體之矽晶包含非晶矽或多晶矽。
    用於像素驅動電路中的非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)具有其中形成源極、汲極以及通道的半導體主動層係由非晶矽所形成之結構，且因而具有等於或小於1 cm2/Vs之低電子移動率。因此，近來多晶矽薄膜電晶體(poly-Si TFT)已逐漸取代非晶矽薄膜電晶體。相較於非晶矽薄膜電晶體，多晶矽薄膜電晶體具有更大的電子移動率且具有對照射光更優異的穩定性。因此，多晶矽薄膜電晶體係相當適合用於作為主動矩陣式有機發光顯示裝置的驅動及/或開關薄膜電晶體的主動層。
    多晶矽薄膜電晶體可以各種不同方式之其中之一而形成，其大致可分為直接沈積多晶矽之方法、以及沈積並結晶多晶矽之方法。
    直接沈積多晶矽的方式之示例包含化學氣相沈積(chemical vapor deposition, CVD)、光激化學氣相沈積(Photo CVD)、氫基化學氣相沈積(hydrogen radical CVD, HR CVD)、電子迴旋共振化學氣相沈積(electron cyclotron resonance CVD, ECR CVD)、電漿輔助化學氣相沈積(plasma enhanced CVD, PE CVD)、低壓化學氣相沈積(low pressure CVD, LP CVD)等。
    直接沈積及結晶多晶矽的方法之示例包含固相結晶(solid phase crystallization, SPC)、準分子雷射結晶(excimer laser crystallization, ELC)、金屬誘導結晶(metal-induced crystallization, MIC)、金屬誘導橫向結晶(metal-induced lateral crystallization, MILC)以及順序橫向固化(sequential lateral solidification, SLS)等。
    本實施例之一或多個態樣係提供一種結晶裝置、結晶方法、以及製造有機發光顯示裝置之方法，該結晶方法係用於藉由移除在選擇性結晶期間可能產生之汙點而選擇性結晶基板上之部份區域，以提升能見度。
    根據本實施例之一態樣，係提供一種用以結晶於基板上形成之半導體層之結晶裝置，此結晶裝置包含：產生雷射光束之雷射產生器、以及安裝基板於其上之平台，其中半導體層係劃分為複數個結晶區及複數個非結晶區，且雷射光束係照射於結晶區上複數次以使結晶區結晶，其中雷射光束照射於同一結晶區的不同位置上複數次。
    結晶區及非結晶區可重複地被劃分。
    雷射光束可為具有長軸及短軸之線形光束。
    當沿著短軸方向移動時，雷射光束可依序地照射於結晶區上。
    結晶區可平行地排列，且雷射產生器適用於依序地照射第一雷射光束至結晶區上，並接著依序地照射第二雷射光束至結晶區上。
    第二雷射光束可沿第一雷射光束之長軸方向位移超過第一雷射光束，以照射於結晶區上。
    由雷射產生器所產生之雷射光束可為脈衝雷射。
    根據本實施例之另一態樣，係提供一種用於結晶在基板上形成之半導體層之結晶裝置，此結晶裝置包含：產生雷射光束之雷射產生器、以及安裝基板於其上之平台，其中半導體層係劃分為複數個結晶區及複數個非結晶區，且雷射光束照射至結晶區上複數次，以使結晶區結晶，其中照射於同一結晶區上複數次之雷射光束具有不同波形。
    結晶區可平行地排列，且雷射產生器適用於依序地照射第一雷射光束至結晶區，並接著依序地照射第二雷射光束至結晶區。
    第一雷射光束及第二雷射光束可具有不同之波形。
    根據本實施例之另一態樣，提供一種結晶方法包含：安裝基板於平台上，其中劃分為複數個結晶區及複數個非結晶區之半導體層係形成於基板之表面上；以及照射雷射光束於結晶區上複數次，其中雷射光束之照射包含依序地照射雷射光束於結晶區，且接著藉由改變雷射光束之位置依序地照射雷射光束至結晶區上。
    結晶區及非結晶區可重複地被劃分。
    雷射光束可為具有長軸及短軸之線形光束。
    當沿著短軸方向移動時，雷射光束可依序地照射至結晶區上。
    結晶區可平行地排列，且雷射光束之照射包含依序地照射第一雷射光束至結晶區上，並接著依序地照射第二雷射光束至結晶區上。
    第二雷射光束可沿第一雷射光束之長軸方向位移超過第一雷射光束，以照射於結晶區上。
    雷射光束可為脈衝雷射。
    根據本實施例之另一態樣，係提供一種結晶方法包含：安裝基板於平台上，其中劃分為複數個結晶區及複數個非結晶區之半導體層係形成於基板之表面；以及照射雷射光束於結晶區上複數次，其中雷射光束之照射包含依序地照射雷射光束於結晶區上，且接著藉由改變雷射光束之波形依序地照射雷射光束於結晶區上。
    結晶區可平行地排列，且雷射光束之照射包含依序地照射第一雷射光束至結晶區上，並接著依序地照射第二雷射光束至結晶區上。
    第一雷射光束及第二雷射光束可具有不同的波形。
    根據本實施例之另一態樣，係提供一種製造有機發光顯示裝置之方法，此方法包含結晶方法，其中有機發光顯示裝置包含分別具有通道區、儲存區及發射區之複數個像素，而結晶的執行包含僅結晶通道區及儲存區。
    本發明現將參考其中繪示本發明之部份實施例之附圖而更充分地說明。然而，本發明可以許多不同形式實施，且不應詮釋為受此處所述之實施例所限制。相反地，此些實施例係提供以使得此揭露將更徹底及完整，且將充分地傳達本發明之概念于所屬技術領域具有通常知識者。此處所使用之詞彙“及/或”包含所附之條列項目之任何及所有之一或多項的組合。
    第1圖為結晶裝置100之實施例之示意圖。
    參閱第1圖，結晶裝置100之實施例可包含用以產生雷射光束L之雷射產生器101、用以處理由雷射產生器101所產生之雷射光束L之光學系統102、以及安裝第一基板10於其上之平台104。
    光學系統102可包含用於調整未經處理之雷射光束L之能量大小之功率衰減器(圖未示)、用以聚焦雷射光束L之聚焦透鏡(圖未示)、用於以預定比例減少穿過聚焦透鏡之雷射光束L之減小透鏡(reducing lens)(圖未示)等。
    平台104可設置以對應至雷射產生器101。沉積具有為非晶矽層的半導體層11之基板10可固定於平台104。平台104可以雷射光束L之長軸方向移動，例如，X軸方向，以下將說明之。
    使用上述之結晶裝置所製造之有機發光顯示裝置之配置係於下文敘述。
    第2圖係為使用第1圖之結晶裝置所製造之有機發光顯示裝置1之實施例的平面圖。第3圖係為構成第2圖之有機發光顯示裝置1之一像素之平面圖。第4圖係為沿著第3圖之A-A線段所截取之剖面圖。
    參閱第2圖，有機發光顯示裝置1之實施例包含第一基板10，其包含：薄膜電晶體、有機發光元件等，且第二基板(圖未示)透過密封而耦合至第一基板10。
    各包含薄膜電晶體、有機場致發光(EL)元件、儲存電容及其他元件之複數個像素可形成於第一基板10上。第一基板10可為低溫多晶矽(LTPS)基板、玻璃基板、塑膠基板、不鏽鋼(SUS)基板等。
    第二基板可為設置於第一基板10上之密封基板，以阻絕第一基板10上之薄膜電晶體、有機場致發光元件及其他元件遠離外部濕氣、空氣及其他雜質。第二基板係設置以面對第一基板10，且第一基板10及第二基板係藉由沿著其邊緣設置之密封構件12而相互連接。第二基板可為透明的玻璃基板或塑膠基板。
    第一基板10包含光從中發出之像素區PA及環繞像素區PA形成之電路區(圖未示)。根據各種不同實施例，密封構件12係設置於環繞像素區PA所形成之電路區中，以使第一基板10及第二基板相互連接。
    在一些有機發光顯示裝置1之實施例中，可於像素區PA之半導體層上執行選擇性結晶，其將於下文中說明。
    參閱第3圖及第4圖，第2圖顯示的有機發光顯示裝置1之像素包含：通道區2、儲存區3及發射區4。第3圖顯示通道區2、儲存區3及發射區4係沿著一方向平行地形成。在其他實施例中，儲存區3和發射區4可沿著縱向方向形成以相鄰於彼此，且通道區2可形成於其一側以各別相鄰於儲存區3和發射區4。對應於通道區2及儲存區3之半導體層11係結晶化，而對應於發射區4之半導體層11不會結晶化。在一些實施例中，半導體層11係選擇性地結晶化，且在選擇性結晶化後，所述之對應於發射區4之半導體層11可被移除。
    參閱第4圖，作為驅動元件之薄膜電晶體係包含於通道區2中。薄膜電晶體包含主動層211、閘極電極214、以及源極電極216a及汲極電極216b。第一絕緣層13係插設在閘極電極214與主動層211之間，以使其相互隔離。另外，高密度雜質注入的源極區及汲極區係形成於主動層211之兩端，且源極區及汲極區係分別連接至源極電極216a及汲極電極216b。
    儲存電容Cst包含於儲存區3。儲存電容Cst包含第一電容電極(capacitor first electrode) 311及第二電容電極(capacitor second electrode) 316，且第一絕緣層13係插設於第一電容電極311與第二電容電極316之間。第一電容電極311與薄膜電晶體之主動層211可以相同材料形成於同一層上。第二電容電極316與薄膜電晶體之源極電極216a及汲極電極216b可以相同材料形成於同一層。
    有機場致發光元件EL包含於發射區4中。有機場致發光元件EL包含連接至薄膜電晶體之源極電極216a及汲極電極216b之中任意一個的像素電極418、形成以面對像素電極418之反向電極421、以及插設於像素電極418與反向電極421之間之中介層420。像素電極418由透明導電材料所形成。
    依據一些習知方法，像素區之整個區域，例如，所有通道區、儲存區及發射區皆結晶化。然而，隨著有機發光顯示裝置變大，要結晶化之區域也變大，使得涉及由雷射產生器產生雷射之維持費用上升，且產率下降。
    在像素中需要高電子移動率之區域僅為通道區2及儲存區3，且佔據像素之整個區域一半以上之區域的發射區4並不需要高電子移動率。因此，從雷射的維持成本方面來說，高度建議僅結晶通道區2及儲存區3。
    另外，依據一些習知結晶方法，具有均勻寬度之雷射光束以雷射光束部分地相互重疊之方式照射而結晶整個基板。在以部分相互重疊之雷射光束所照射之區域中，晶體之大小並不均勻，且電性特性並不一致。此外，由重疊之雷射光束所造成之界線對使用者來說可能會視為汙點而被察覺。
    因此，有機發光顯示裝置1之實施例其特徵在於其中藉由選擇性地僅結晶將形成於通道區2及儲存區3之半導體層11，且藉由不執行結晶於將形成於發射區4之半導體層11而形成多晶矽主動層。當基板及雷射產生器相對於彼此移動時，如果基板或雷射產生器通過要結晶之部位，例如通道區2及儲存區3，係執行結晶。以此種方式，藉由執行選擇性結晶，雷射產生器之效率可最大化，維持成本可減少，且產率可增加。
    選擇性結晶係使用具有長軸及短軸之雷射光束而執行，且係以線性光束之形式而形成。舉例而言，當雷射光束在短軸方向移動時，雷射光束照射於通道區2及儲存區3上。由於光學系統之不均勻性，雷射光束沿雷射光束之長軸方向並不具有一致之能量，且線型汙點係形成於雷射光束移動之方向。
    第5圖係表示根據一實施例，依據雷射光束之長軸方向之雷射光束之能量大小的示意圖。第6圖係表示藉由第5圖之雷射光束而選擇性地結晶化之半導體層的平面圖。
    參閱第5圖，沿長軸方向之雷射光束之能量大小並非一致。雷射光束在介於長軸方向之位置x1與位置x2之間具有能量大小E1，在位置x3具有小於E1之能量大小E2，且在位置x6具有大於E1之能量大小E3。當具有不均勻能量分布的雷射光束沿著短軸方向，如Y軸方向移動時，雷射光束照射至半導體層11之結晶區11'a1至11'an上，如第6圖所示，以結晶化結晶區11'a1至11'an。
    由於雷射光束在長軸方向具有不一致之能量大小，執行於結晶區11'a1到11'an之結晶程度彼此係不相同。舉例而言，如圖所示，觀察在位置x2與位置x4之雷射之間之能量，由於在位置x3之雷射光束之能量E2小於介於位置x1與位置x2之間之雷射光束之能量E1，照射介於位置x2與位置x4之間之雷射光束於其上的半導體層11的區域11'd之結晶度係小於照射介於位置x1與位置x2之間之雷射光束於其上的半導體層11的區域11'c之結晶度。此外，觀察介於位置x5與位置x7之間之雷射光束之能量，由於在位置x6之雷射光束之能量E3大於介於位置x1與位置x2之間之雷射光束之能量E1，照射介於位置x5與位置x7之間之雷射光束於其上的半導體層11的區域11'e之結晶度係大於照射介於位置x1與位置x2之間之雷射光束於其上的半導體層11的區域11'c之結晶度。
    因此，具有非一致之能量大小之雷射光束沿短軸方向移動，例如，Y 軸方向，且雷射光束選擇性地照射於結晶區11'a1至11'an，且因此在雷射光束之掃描方向即Y軸方向中由於結晶度之差異會生成線型汙點12'，從而降低了有機發光顯示裝置之能見度。
    為了解決上述之問題，依據一些實施例，雷射光束係照射在相同結晶區之不同位置，其係參考第7圖及第8圖而說明。
    第7A圖到第7C圖為根據實施例之雷射光束之能量之示意圖。第8圖係表示藉著第7A圖至第7C圖之雷射光束選擇性結晶化之半導體層11之平面圖。
    首先，第7A圖所示之雷射光束係依序地照射在第8圖之半導體層11之結晶區11a1至11an上。接著，如第7B圖所示，雷射光束沿長軸方向L移動，且接著依序地照射第8圖之半導體層11之結晶區11a1至11an。隨後，如第7C圖所示，雷射光束沿長軸方向L之位移超過第7B圖之雷射光束，且依序地照射第8圖之半導體層11之結晶區11a1至11an上。因此，雷射光束沿長軸方向L移動，並照射於半導體層11上，且因此具有不同能量大小的雷射光束之部位L1及L2係避免了重複地照射在半導體層11之相同區域上，從而避免如上所述之線性汙點的生成。
    第7A圖至第7C圖係表示三個在長軸方向L中位置不同之雷射光束。在其他實施例中，四個或四個以上之雷射光束可依序地照射於半導體層11之結晶區11a1至11an上。
    第7A圖至第7C圖繪示僅沿正長軸方向(+L)移動之雷射光束，但雷射光束可隨機地沿長軸方向L移動，且可照射於半導體層11上。舉例來說，在執行雷射光束的第一次照射後，雷射光束可在沿負長軸方向(-L)移動時照射。另外，在執行雷射光束的第一次照射後，可沿正長軸方向(+L)執行雷射光束的第二次照射，且可沿負長軸方向(-L)執行雷射光束的第三次照射。
    如上所述，雷射光束可沿長軸方向L移動。另外，平台104可沿雷射光束之長軸方向移動，例如沿第1圖之X軸方向，而無需沿長軸方向移動雷射光束。
    另外，雷射光束可藉由改變每次照射之雷射光束之波形(能量分佈)，而非藉由沿長軸方向移動雷射光束而照射至第8圖中半導體層11之結晶區11a1至11an上。詳細地說，參閱第9A圖，第一次照射之雷射光束在部位M1具有相對較小之能量大小E2，而在部位M2具有相對較大之能量大小E3。第9A圖之雷射光束係依序地照射在第8圖之半導體層11之結晶區11a1至11an上。接著，如第9B圖所示，雷射光束係具有不同於第9A圖之雷射光束的波形，且雷射光束係依序地照射在第8圖之半導體層11之結晶區11a1至11an上。也就是說，如第9B圖所示，第二次照射之雷射光束在部位M'1具有相對較大之能量大小E3，而在部位M'2具有相對較小之能量大小E2。雖然並未顯示，第三次照射之雷射光束可具有不同於第9A圖及第9B圖所示之雷射光束之波形。
    因此，雷射光束可藉由改變雷射光束之波形而照射於半導體層11上，且因而避免了具有不同能量大小之雷射光束的部位M1及M2重複地照射於半導體層11之相同區域，進而避免如上所述之線性污點的生成。
    藉著結晶裝置100之雷射產生器101所產生之雷射光束可為脈衝雷射而非傳統的連續波雷射。舉例而言，在雷射產生器101產生具有6000 Hz頻率之脈衝雷射的情況下，高頻率雷射係每秒6000次照射至第一基板10。
    依據本發明之實施例，在選擇性結晶期間避免形成線性汙點，且因而可提升有機發光顯示裝置之能見度。
    雖然本發明已參閱其部份實施例而具體地顯示及說明，其將為熟悉此技藝者了解的是，在不背離如以下申請專利範圍所定義之本發明之精神及範圍下，可對其進行形式及細節之各種變化。
    1．．．有機發光顯示裝置
    10．．．第一基板
    100．．．結晶裝置
    101．．．雷射產生器
    102．．．光學系統
    104．．．平台
    11．．．半導體層
    12．．．密封構件
    13．．．第一絕緣層
    2．．．通道區
    3．．．儲存區
    4．．．發射區
    211．．．主動層
    214．．．閘極電極
    216a．．．源極電極
    216b．．．汲極電極
    316．．．第二電容電極
    311．．．第一電容電極
    418．．．像素電極
    420．．．中介層
    421．．．反向電極
    PA．．．像素區
    L．．．雷射光束
    Cst．．．儲存電容
    EL．．．有機場致發光元件
    x1~x7．．．位置
    11’a1~11’an、11a1~11an．．．結晶區
    12’．．．線型汙點
    11’c、11’d、11’e．．．區域
    L1、L2、M1、M2、M’1、M’2．．．部位
    藉由參考附圖以詳細說明部份實施例，本實施例之上述與其他特徵與優點將變得更顯而易見，其中：第1圖係為結晶裝置之實施例的示意圖；第2圖係為使用第1圖之結晶裝置所製造之有機發光顯示裝置之平面圖；第3圖係為構成第2圖之有機發光顯示裝置1之像素之平面圖；第4圖係為沿著第3圖之A-A線段所截取之剖面圖；第5圖係為根據實施例之對應於具有不同能量大小之雷射光束之長軸方向的能量之示意圖；第6圖係為藉由第5圖之雷射光束選擇性地結晶之半導體層之平面圖；第7A圖至第7C圖係為根據實施例之雷射光束之能量之示意圖；第8圖係為藉由第7A圖至第7C圖之雷射光束選擇性地結晶之半導體層之平面圖；以及第9A圖至第9B圖係為根據另一實施例之雷射光束之能量之示意圖。
    10．．．第一基板
    100．．．結晶裝置
    101．．．雷射產生器
    102．．．光學系統
    104．．．平台
    11．．．半導體層
    L．．．雷射光束
    权利要求:
    Claims (22)
    [1] 一種用於結晶在基板上形成之半導體層之結晶裝置，該結晶裝置包含：一雷射產生器，係產生一雷射光束；以及一平台，該基板係安裝於其上；其中該半導體層係劃分為複數個結晶區及複數個非結晶區，且該雷射光束照射至該些結晶區上複數次，以使該些結晶區結晶，其中該雷射光束係照射同一該結晶區的不同位置上複數次。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之結晶裝置，其中該些結晶區及該些非結晶區係重複地被劃分。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述之結晶裝置，其中該雷射光束係為具有一長軸及一短軸之一線形光束。
    [4] 如申請專利範圍第3項所述之結晶裝置，其中在沿著一短軸方向移動時，該雷射光束係依序地照射至該些結晶區上。
    [5] 如申請專利範圍第3項所述之結晶裝置，其中該些結晶區係平行地排列，且該雷射產生器係適用於依序地照射一第一雷射光束至該些結晶區上，且接著依序地照射一第二雷射光束至該些結晶區上。
    [6] 如申請專利範圍第5項所述之結晶裝置，其中該第二雷射光束在該第一雷射光束之一長軸方向位移超過該第一雷射光束，以照射於該些結晶區上。
    [7] 如申請專利範圍第1項所述之結晶裝置，其中由該雷射產生器所產生之該雷射光束係為一脈衝雷射。
    [8] 一種用於結晶在基板上形成之半導體層之結晶裝置，該結晶裝置包含：一雷射產生器，係產生一雷射光束；以及一平台，該基板係安裝於其上；其中該半導體層係劃分為複數個結晶區及複數個非結晶區，且該雷射光束照射至該些結晶區上複數次，以使該些結晶區結晶，其中照射至同一該結晶區上複數次之該雷射光束具有不同的波形。
    [9] 如申請專利範圍第8項所述之結晶裝置，其中該些結晶區係平行地排列，且該雷射產生器適用於依序地照射一第一雷射光束至該些結晶區上，並接著依序地照射一第二雷射光束至該些結晶區上。
    [10] 如申請專利範圍第9項所述之結晶裝置，其中該第一雷射光束及該第二雷射光束係具有不同之波形。
    [11] 一種結晶方法，其包含下列步驟：安裝一基板於一平台上，其中劃分為複數個結晶區及複數個非結晶區之一半導體層係形成於該基板之一表面上；以及照射一雷射光束於該些結晶區上複數次；其中該雷射光束之照射包含依序地照射該雷射光束於該些結晶區上，並接著藉由改變該雷射光束之一位置而依序地照射該雷射光束至該些結晶區上。
    [12] 如申請專利範圍第11項所述之結晶方法，其中該些結晶區及該些非結晶區係重複地被劃分。
    [13] 如申請專利範圍第11項所述之結晶方法，其中該雷射光束係為具有一長軸及一短軸之一線形光束。
    [14] 如申請專利範圍第13項所述之結晶方法，其中在沿一短軸方向移動時，該雷射光束係依序地照射於該些結晶區上。
    [15] 如申請專利範圍第13項所述之結晶方法，其中該些結晶區係平行地排列，且該雷射光束之照射包含依序地照射一第一雷射光束至該些結晶區上，並接著依序地照射一第二雷射光束至該些結晶區上。
    [16] 如申請專利範圍第15項所述之結晶方法，其中該第二雷射光束在該第一雷射光束之一長軸方向位移超過該第一雷射光束，以照射於該些結晶區上。
    [17] 如申請專利範圍第11項所述之結晶方法，其中該雷射光束係為一脈衝雷射。
    [18] 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含申請專利範圍第11項所述之結晶方法，其中該有機發光顯示裝置包含複數個像素，且該些像素分別具有一通道區、一儲存區及一發射區，以及結晶的執行包含只結晶該通道區及該儲存區。
    [19] 一種結晶方法，其包含：安裝一基板於一平台上，其中劃分為複數個結晶區及複數個非結晶區之一半導體層係形成於該基板之一表面上；以及照射一雷射光束於該些結晶區上複數次；其中該雷射光束之照射包含依序地照射該雷射光束於該些結晶區上，並接著藉由改變該雷射光束之波形依序地照射該雷射光束至該些結晶區上。
    [20] 如申請專利範圍第19項所述之結晶方法，其中該些結晶區係平行地排列，且該雷射光束之照射包含依序地照射一第一雷射光束至該些結晶區上，並接著依序地照射一第二雷射光束至該些結晶區上。
    [21] 如申請專利範圍第20項所述之結晶方法，其中該第一雷射光束及該第二雷射光束具有不同的波形。
    [22] 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含申請專利範圍第19項所述之結晶方法，其中該有機發光顯示裝置包含複數個像素，且該些像素分別具有一通道區、一儲存區及一發射區，以及結晶的執行包含只結晶該通道區及該儲存區。
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